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　　热电效应所谓热电效应，就是两种不同材料的导体（或半导体）组成一个闭合回路，当两接点温度T和T0不同时，则在该回路中就会产生电动势的现象。热电效应产生的电动势包括接触电动势和温差电动势。接触电动势是由于两种不同导体的自由电子密度不同而在接触处形成的电动势。其数值取决于两种不同导体的材料特性和接触点的温度。温差电动势是同一导体的两端因其温度不同而产生的一种电动势。其产生的机理为:高温端的电子能量要比低温端的电子能量大，从高温端跑到低温端的电子数比从低温端跑到高温端的要多，结果高温端因失去电子而带正电，低温端因获得多余的电子而带负电，在导体两端便形成温差电动势。

　　传感器一般由敏感元件、转换元件、变换电路和辅助电源四部分组成，敏感元件直接感受被测量，并输出与被测量有确定关系的物理量信号；转换元件将敏感元件输出的物理量信号转换为电信号；变换电路负责对转换元件输出的电信号进行放大调制；转换元件和变换电路一般还需要辅助电源供电。传感器早可以应用于工业生产、宇宙开发、海洋探测、环境保护、资源调查、医学诊断、生物工程、甚至文物保护等等其之泛的领域。传感器可以的获取的信息，获取自然和生产领域中信息的主要途径与手段，因此应用范围十分广泛。

　　光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射的光子产生电子空穴对，使其自身电导率发生变化的现象（光敏电阻、光电二管、光电三管）。光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势（光电池）。红限频率:产生光电效应所需照射光的频率叫做红限频率（又称截止频率）。逸出功:电子克服原子核的束缚，从材料表面逸出所需的小能量，称为逸出功。爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中，Ek 表示逸出的光电子所具有的动能，普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s，ν 表示入射光的频率，Wo表示逸出功 ）。