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　　N型或P型掺杂半导体在光照射下，光子能量只要分别大于施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei（eV），光能即被吸收，激发出能参与导电的光生电子或空穴。掺杂半导体产生光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。图 光电导效应机理图当光敏电阻接上直流电压Vb，并用一定强度、波长小于λ0的光线连续照射时，其输出直流电流i0为式中，η 内光量子效率（光生载流子数与人射光子数之比）；μc——多数载流子的迁移率；τ——多数载流子寿命；d——光敏电阻两电间距；p——入射光功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J•s。

　　模拟霍尔效应传感器与基本霍尔传感器相比，模拟霍尔效应传感器在更宽的电压范围内工作，并且在嘈杂的环境中也很稳定。下图显示了模拟输出霍尔效应器件，它产生的模拟电压与它所暴露的磁场成正比。放大器具有偏置或固定偏移，因此当磁场不存在时，偏置电压出现在输出端，这被认为是零电压。霍尔元件处的磁场可以是正的也可以是负的。因此，当感测到正磁场时，输出电压增加到高于零值，而当感测到负磁场时，输出降低到零值以下。

　　电涡流式传感器示意图将块状金属导体置于通有交变电流的传感器线圈磁场中。根据法拉第电磁感应原理，由于电流的变化，在线圈周围就产生一个交变磁场，当被测导体置于该磁场范围之内，被测导体内便产生电涡流，电涡流也将产生一个新磁场，和方向相反，抵消部分原磁场，从而导致线圈的电感量、阻抗和品质因素发生变化。电感式传感器的应用电感式滚柱直径分选装置电感式滚柱直径分选装置实物电感式滚柱直径分选装置结构原理