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　　电阻率（电导率）因施加在该电阻上的压力而变化的现象称为压阻效应。罗姆的气压传感器IC将使用压阻式压力接收元件（隔膜结构和压阻集成在一起MEMS），以及温度校正处理、控制电路等的集成电路（ASIC）集成在一个封装里，可以轻松获得高精度的气压信息。加速度是指单位时间内产生的速度，测量加速度的IC就叫加速度传感器。通过测量加速度，可以测得物体的倾斜、振动等信息。加速度单位为m/s2（单位制SI）。另外，单位G是以标准重力（1 G = 9.806 65m/s2）为基准的加速度值。还有用于检测地震震动的加速度的单位Gal（CGS单位制）。

　　通过上文的介绍不难看出，霍尔效应传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。另外，霍尔效应传感器也是一个换能器，它将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场，此外还可测量产生和影响磁场的物理量，例如被用于接近开关、位置测量、转速测量和电流测量设备。霍尔传感器是排名第三的传感器产品，它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。

　　霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示:参加材料导电过程的不带负电的电子，还有带正电的空穴。