上海上门回收欧姆龙光纤放大器近期行情

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　　纵向压电效应:是指对于压电效应材料来讲，沿电轴(x轴）方向施加压力产生的压电效应。横向压电效应:沿机械轴(y轴)方向的力作用下产生电荷的压电效应。电阻应变片是用于测量应变的元件。它能将机械构件上应变的变化转换为电阻变化。其电阻的相对变化率为∆R/R=Ks*ε。其中，Ks为材料的应变灵敏系数，其物理意义是单位应变的电阻变化率，标志着该类丝材电阻应变片效应显著与否。ε为应变，为无量纲。横向应变量εr=-με(纵向应变量)。

　　利用硅的压阻效应和微电子技术制成。压阻效应:单晶硅在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化。定义:是将被测参数转换成电容量的测量装置。与电阻、电感式传感器相比具有测量范围大、灵敏度高、动态响应时间短、机械损失小、结构简单等优点。缺点:寄生电容（包括连接电容板的导线电容和传感器本身的泄露电容）影响较大。电容的公式:  ,式中:C为电容量，ε为两板间介质的介电常数，S为板相互覆盖面积，d为板间距。

　　振动传感器、湿敏传感器、磁敏传感器、气敏传感器、真空度传感器、生物传感器等。集成传感器:是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。薄膜传感器:则是通过沉积在介质衬底（基板）上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。厚膜传感器:是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。