详细说明
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VH=HIB sinα其中H是整体灵敏度系数,它取决于板材料、温度及其几何形状,α是磁场矢量和霍尔板之间的角度,I是电流密度。另外,整体灵敏度取决于霍尔系数,霍尔系数是每单位电流密度每单位磁场强度的横向电势梯度。因此,霍尔系数给出为:H = 1/Ncq、其中c是光速,N是每单位体积的电子数。霍尔效应传感器如果传感器使用霍尔效应来感知磁场的存在,这种传感器称为霍尔效应传感器。磁传感器的基本元件是霍尔元件,这些传感器通常封装在一个四端子外壳中,其中两个端子是控制端子,另外两个是差分输出端子。
未经调制的传感器用来检测周围的光线或红外光的辐射,如刚出炉的红热瓶子,在这种应用场合如果使用其它的传感器,可能会有误动作。如果一个金属发射出的光比周围的光强很多的话,那么它就可以被周围光源接收器检测到。周围光源接收器也可以用来检测室外光。但是并不是说经调制的传感器就一定不受周围光的干扰,当使用在强光环境下时就会有问题。例如,未经过调制的光电传感器,当把它直接指向阳光时,它能正常动作。我们每个人都知道,用一块有放大作用的玻璃将阳光聚集在一张纸上时,很容易就会把纸点燃。设想将玻璃替换成传感器的镜头,将纸替换成光电三管,这样我们就很容易理解为什么将调制的接收器指向阳光时它就不能工作了,这是周围光源使其饱和了。
几种硅光电二管的典型光谱响应。可以注意到,光电二管在900纳米附近的近红外范围内 具有高的敏感度,而在横跨400纳米~700纳米的可见光范围内具有非线性的敏感度。 由于标准的硅响应的缘故,从摄像机中去掉IR滤波器会增加近红外的灵敏度。(光谱数据图像的使用已获得OSI光电股份有限公司的许可)注意,当读入原始数据,并将该数据离散化成数字像素时,会导致硅光谱响应。传感器制造商在这个区域做了设计补偿,然而,当根据应用标定摄像机系统并设计传感器处理方法时,应该考虑传感器的颜响应。