西藏附近收购SMC缓冲器中心

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　　带背景/前景消影功能的光电传感器对比度检测光电传感器荧光检测光电传感器颜检测光电传感器光电传感器的开关输出形式:常开/常闭 VS 亮通/暗通。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类，而内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。所谓的外光电效应是指:在光的照射下，物体内的电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。根据外光电效应制成的器件有光电管，光电倍增管等。而（半导体的）内光电效应是指:光照射在光敏材料上，材料中处于价带的电子吸收光子的能量后，通过禁带跃迁至导带，使导带内电子浓度和价带内空穴增多，即激发出电子空穴对，从而使半导体材料的电阻率发生变化或产生光生电动势的现象。

　　反映非线性误差的程度是线性度。线性度是以一定的拟合直线作基准与校准曲线作比较，用其不一致的大偏差△Lmax与理论量程输出值Y（=ymax—ymin）的百分比进行计算。稳定性在相同条件，相当长时间内，其输入/输出特性不发生变化的能力，影响传感器稳定性的因素是时间和环境。温度影响其零漂，零漂是指还没输入时，输出值间变化而变化。长期使用会产生蠕变现象。重复性:是衡量在同一工作条件下，对同一被测量进行多次连续测量所得结果之间的不一致程度的；（分散范围小，重复性越好）

　　利用硅的压阻效应和微电子技术制成。压阻效应:单晶硅在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化。定义:是将被测参数转换成电容量的测量装置。与电阻、电感式传感器相比具有测量范围大、灵敏度高、动态响应时间短、机械损失小、结构简单等优点。缺点:寄生电容（包括连接电容板的导线电容和传感器本身的泄露电容）影响较大。电容的公式:  ,式中:C为电容量，ε为两板间介质的介电常数，S为板相互覆盖面积，d为板间距。