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　　在各种传感技术中，常用和广泛的检测磁场的方法是霍尔效应法。基于霍尔效应，在各种应用中发现了许多霍尔效应传感器或换能器，它们常用于感测接近度、速度、电流和位置。这是因为可以在集成电路上构建霍尔效应传感器，并在同一硅芯片上使用辅助信号处理电路。由于体积小、坚固耐用、易于使用和成本集成等优点，霍尔效应传感器是许多磁测量应用的首选。使用这些霍尔效应传感器的一些应用领域包括在工业控制中用作编码器、速度传感器和行程终点传感器;在计算机中用作磁盘驱动器索引传感器和无刷风扇的换向;在汽车中用作防抱死制动系统 (ABS) 和点火正时，在消费设备中用作运动器材等。

　　关于霍尔效应理论霍尔效应是由Edwin Hall于1879年在约翰霍普金斯大学通过实验发现的。由于当时有仪器可用，由于实验的微妙性质，从材料获得的电压低(以微伏为单位)。因此，在开发出合适的材料之前，在实验室之外不可能使用霍尔效应。半导体材料的发展为霍尔效应的实际应用制造了高质量的换能器。霍尔效应是指放置在磁场中的载流导体的相对边缘产生电压。当电流通过放置在磁场中的导体时，导体上会在垂直于磁场和电流的方向上产生电位差，其大小与电流和磁场成正比，这种现象被称为霍尔效应，它是许多磁场测量仪器和设备的基础。

　　硅制图像传感器应用广，当然也会使用其他材料，比如在工业和军事应用中会用镓(Ga)来覆盖比硅更长的红外波长。不同的摄像机，其图像传感器的分辨率会有所不同。从单像素光电晶体管摄像机(它通过一维直线扫描阵列用于工业应用)，到普通摄像机上的二维长方形阵列(到球形整列的路径均用于高分辨率成像)，都有可能用到。(本章会介绍传感器配置和摄像机配置)。普通成像传感器采用CCD、CMOS、BSI和Foveon方法进行制造。硅制图像传感器具有一个非线性的光谱响应曲线，这会很好地感知光谱的近红外部分，但对蓝、紫和近紫外部分就感知得不好。