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　　当半导体光电器件的光灵敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而产生的光电效应称为侧向光生伏特效应。基于该效应工作的光电器件有半导体位置敏感器件（简称PSD），或称反转光敏二管。侧向光生伏特效应的工作机理是，半导体光照部分吸收人射光子的能量产生电子空穴对，使该部分载流子浓度高于未被光照部分，因而出现了浓度梯度，形成载流子的扩散。由于电子迁移率比空穴的大，因此电子首先向未被光照部分扩散，致使被光照部分带正电，未被光照部分带负电，两部分之间产生光电动势。

　　变气隙式差动电感压力传感器变气隙式差动电感压力传感器主要由C形弹簧管、衔铁、铁芯和线圈等组成。变气隙式差动电感压力传感器电感式传感器还可以应用于磨加工主动测量、测量长度位移量和制做电子测微仪。差动变压器式传感器可以直接用于位移测量，也可测量与位移有关的机械量，如力、力矩、压力、压差、振动、加速度、应变、液位等。力和力矩的测量差动变压器式力传感器1接头 2 膜盒 3 底座 4 线路板 5 差动变压器 6 衔铁 7 罩壳

　　基于此效应的光电器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。通过设计和制造工艺，使光电池工作在无外接电源下，则以光伏效应工作。光敏管工作在反向偏压下，则同时存在光导效应和光伏效应。它们输出的光电流与光照强度均具有线性关系。光电磁效应（简称PEM效应）半导体受强光照射，并在光照垂直方向外加磁场时，垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。