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　　随着液位上升，磁铁移近传感器，因此输出电压增加，而当液位下降时，该电压降低。因此，该系统提供了简单的液位测量，无需在罐内进行电气连接。转速或RPM感应是霍尔效应传感器常见的应用。在速度传感中，霍尔效应传感器以面向旋转磁铁的方式固定放置。该旋转磁铁产生操作传感器或霍尔元件所需的磁场。旋转磁铁的排列方式可以不同，这取决于应用的便利性。其中一些布置是将单个磁体安装在轴或轮毂上或通过使用环形磁体。霍尔传感器每次面对磁铁时都会发出输出脉冲。

　　式中，η 内光量子效率高（光生载流子数与人射光子美容数占比）；μc——大多数载流子的迁移率；τ——大多数载流子使用期；d——光敏电阻两电级间距；p——光源射进功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J s。随光能的提高，光生载流子质量浓度虽然也因之激增，但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快，因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。

　　侧边光生伏特效应的工作上基本原理是，半导体器件光照部分吸收人射光子美容的机械能导致电子元器件空蚀对，使该部分载流子质量浓度高过未被光照部分，因而出现了浓度梯度，造成载流子的扩散。由于电子元器件迁移率比空蚀的大，因此电子元器件开始向未被光照部分扩散，造成被光照部分带正电，未被光照部分带负电，两部分正中间导致光电动势。PN结光生伏特效应光直射距表面很近的半导体器件PN结时，结及附近的半导体器件消化光能。若光子美容机械能超出禁带宽度，则价带电子元器件自由电子到导带，变为自由电子，而价带则相对性变为随便空蚀。这类电子元器件空蚀对在PN结內部电场的作用下，电子元器件调向N区两边，空蚀调向P区两边，结果P区带正电，N区带负电，造成光电动势。