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　　其中B是磁通量密度，v是电子的速度，q是电子电荷。在上图中，正式由于其中磁场使电荷的运动偏转。将扁平导电条放置在磁场中，并将导电条的左右两侧的附加触点连接到电压表。导电条的下端和上端连接到电源，由于磁通量的存在，移动的电子在偏转力的作用下向带的右侧移动。这导致右侧比左侧更负，因此存在电位差。该电压称为霍尔电压，其大小和方向取决于电流和磁场的大小和方向。霍尔电压为计算公式为:

　　光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应，如光电池等。

　　贝克勒耳（Becquerel）效应贝克勒耳效应是液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电中的任一个电时，在两个电间将产生电势的现象称为贝克勒耳效应。基于该效应的有感光电池。图像传感器是为满足不同应用的目标而设计的，它提供了不同级别的灵敏度和质量。想要熟悉各种传感器，可查阅其厂商信息。例如，为了在硅基模和动态响应(用于实现光强度和颜检测)之间有一个好的折中，对一个特定的半导体制造过程，需优化每个光电二管传感器单位的大小和组成成分。