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　　后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系，根据这一关系式，人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。

　　随光能的增加，光生载流子浓度虽然也因之剧增，但同时电子与空穴间的复合速度也加快，因此低于截止波长的光能量与半导体所产生的光电流的特性曲线不是线性关系。光生伏特效应 物体（如半导体）在光的照射下能产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基。于该效应的光电器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其产生电势的机理可分为:侧向光生伏特效应侧向光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。

　　双性霍尔效应传感器这些传感器的输出有两个性:开或关，这些传感器也称为数字输出霍尔效应传感器。此外，放大器包含具有阈值电平的内置滞后的施密特触发器。该施密特触发器装置通过将差分放大器输出与固定基准进行比较，将模拟信号转换为数字输出。因此，当差分放大器输出大于参考值或预设值时，施密特触发器打开，而低于参考值时，施密特触发器关闭。作为磁场函数的两电平输出信号如下图所示。在这种情况下，磁滞通过引入死区消除了可避免的振荡，在死区中，在参考值或预设值通过后，动作被禁用。