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　　N型或P型参杂半导体器件在光照射下，光子美容机械能如果分别超出施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei（eV），得出图（b）或图（c）图例，光能即被消化，激发能够报名参加导电率的光生电子元器件或空蚀。参杂半导体器件导致光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。 电子光学导效应电路原理图当光敏电阻接上交流电流Vb，共用务必抗拉强度、光波长小于λ0的灯源不断照射时，其输出交流电压i0为

　　M1电流传感器为了消除上述磁场检测型在安装难度（有铁芯）和功率损耗（无铁芯）方面的缺点，ROHM开发出了使用MI（Magneto Impedance）元件的磁场检测型非接触型电流传感器。MI传感器作为使用非晶丝，利用其磁阻抗效应的新一代传感器，其特点是具备超高灵敏度的磁性检测能力。灵敏度远超霍尔元件，可高精度检测磁性的微小变化。因此，无需将电流引入封装内，也能以高精度进行非接触式电流检测（磁性检测）。

　　电涡流式传感器示意图将块状金属导体置于通有交变电流的传感器线圈磁场中。根据法拉第电磁感应原理，由于电流的变化，在线圈周围就产生一个交变磁场，当被测导体置于该磁场范围之内，被测导体内便产生电涡流，电涡流也将产生一个新磁场，和方向相反，抵消部分原磁场，从而导致线圈的电感量、阻抗和品质因素发生变化。电感式传感器的应用电感式滚柱直径分选装置电感式滚柱直径分选装置实物电感式滚柱直径分选装置结构原理