详细说明
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产品特点:
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霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示:参加材料导电过程的不带负电的电子,还有带正电的空穴。
使用这些传感器,输出电压在电源施加的限制范围内,因此,在达到电源限制之前,放大器将开始饱和,如上图所示。需要注意的是,饱和发生在放大器中,而不发生在霍尔元件中,因此较大的磁场不会对霍尔效应传感器造成损坏。此外,这些传感器相对于磁场不是很线性,因此它们需要适当的校准才能进行高精度测量。与此同时,通过在差分放大器的输出端增加推挽晶体管、集电开路或发射开路,增加了器件的接口灵活性。
PN结光生电流值与人射光照度正比例,光生伏特与光照度大部分正比例。由于光生电子元器件、空蚀在扩散过程时候分别与半导体器件空蚀、电子元器件复合性,因此载流子的使用期与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚薄小于扩散长度,可以造成光电流导致光生伏特。在建筑项目上,应用变更PN结距表面厚薄的规格的方法,可以调整依据PN结光生伏特效应的半导体器件的相频特性特性、光电流跟光生电势差规格。