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　　光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件，这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下，物块内的电子元器件逸出物块表面，向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化，或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下，电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况，而导致原料电阻器的变化，这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻（也称电子光学塑料软管），其普遍的原料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。

　　对计算机视觉而言，采样理论的效果具有重要意义，如目标场景的像素范围就会用到Nyquist频率。传感器分辨率和光学器件能一起为每个像素提供的分辨率，以便对感兴趣特征进行成像，因此有这样的结论:兴趣特征的采样(或成像)频率应该是重要像素(对感兴趣的特征而言)中小像素大小的两倍。当然，对成像精度而言，两倍的过采样仅仅是一个目标，在实际应用中，并不容易决定单像素宽度的特征。对于给定的应用，要取得好的结果，需校准摄像机系统，以便在不同光照和距离条件下确定像素位深度(bit  depth)的传感器噪声以及动态范围。为了能处理传感器对颜通道所产生的噪声和非线性响应，并且检测和校正像素坏点、处理几何失真的建模，需发展合适的传感器处理方法。如果使用测试模式来设计一个简单标定方法，这种方法在灰度、颜、特征像素大小等方面具有由细到粗的渐变，就会看到结果。

　　当一次线圈接入激励电源后，二次线圈就将产生感应电动势，当两者间的互感量变化时，感应电动势也相应变化。由于两个二次线圈采用差动接法，故称为差动变压器式传感器，简称差动变压器。差动变压器的结构差动变压器结构形式较多，有变隙式、变面积式和螺线管线等。a、b两种结构的差动变压器，衔铁均为板形，灵敏度高，测量范围则较窄，一般用于测量几微米到几百微米的机械位移。(a)、(b)变间隙式差动变压器