详细说明
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光电效应的实验装置物质在光的作用下释放出电子,这种现象叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。受光照物体电导率发生变化,或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电阻率的变化,这种现象称为光电导效应。大多数的高电阻率半导体都具有光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻(也称光电导管),其常用的材料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。
加速度传感器一般分为低G加速度传感器和高G加速度传感器,如下图所示。电容式加速度传感器传感器元件由Si制成的固定电、可动电和弹簧构成。未施加加速度的状态下,固定电和可动电间的距离相同。施加加速度,则可动电移位。由此与固定电的位置关系发生变化,电间容量发生变化。容量的变化通过ASIC转化为电压,算出加速度。何谓电流传感器?电流传感器是指检测电路中流动的电流值的传感器。电流的检测方法
依据此效应的半导体器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。依据方案设计和生产加工制作工艺,使光电池工作上在无外置电源下,则以太阳能发电站效应工作上。光感应管工作上在反方向偏压下,则一块儿存在光导效应和太阳能发电站效应。她们输出的光电流与光照强度均具有线性相关。电子光学磁效应(统称PEM效应)半导体器件受强光照照射,并在光照竖直方向多加磁场时,垂直平分光和磁场的半导体器件两侧面间导致电势差的情况称作电子光学磁效应。它可以作为是光扩散电流值的霍尔效应。