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　　光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射的光子产生电子空穴对，使其自身电导率发生变化的现象（光敏电阻、光电二管、光电三管）。光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势（光电池）。红限频率:产生光电效应所需照射光的频率叫做红限频率（又称截止频率）。逸出功:电子克服原子核的束缚，从材料表面逸出所需的小能量，称为逸出功。爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中，Ek 表示逸出的光电子所具有的动能，普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s，ν 表示入射光的频率，Wo表示逸出功 ）。

　　以上4种都属于模拟式传感器。以上4种都属于模拟式传感器。根据原理不同，分为脉冲式数字传感器（如光栅传感器、感应同步器、磁栅传感器和光电码盘等）和频率输出式数字传感器（如振弦式、振筒式和振膜式传感器）建立在编码器基础上。编码器按原理分类，有电触式、电容式、感应式、光电式等。光电式又称光学编码器。编码器又可分为增量编码器和对编码器两大类。光电式属于对编码器。编码器包括码盘和码尺。前者用于测角度，后者用于测长度。测长度实际应用较少。

　　暗电流、暗阻:在一定外加电压下，当无光（ 0 lx照度）照射时，流过光敏电阻的电流称暗电流；外加电压与该电流之比为暗阻，一般几百kΩ~几千kΩ以上。大工作电压:一般几十伏百伏。环境温度:一般-25℃至 +55℃，有的型号可以-40℃至+70℃。额定功率（功耗）:光敏电阻的亮电流与外电压乘积；可有5mW至300mW多种规格选择。光敏电阻的主要参数还有响应时间、灵敏度、光谱响应、光照特性、温度系数、伏安特性等。