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　　关于霍尔效应理论霍尔效应是由Edwin Hall于1879年在约翰霍普金斯大学通过实验发现的。由于当时有仪器可用，由于实验的微妙性质，从材料获得的电压低(以微伏为单位)。因此，在开发出合适的材料之前，在实验室之外不可能使用霍尔效应。半导体材料的发展为霍尔效应的实际应用制造了高质量的换能器。霍尔效应是指放置在磁场中的载流导体的相对边缘产生电压。当电流通过放置在磁场中的导体时，导体上会在垂直于磁场和电流的方向上产生电位差，其大小与电流和磁场成正比，这种现象被称为霍尔效应，它是许多磁场测量仪器和设备的基础。

　　灵敏度KH=EH/IB，它的数值约为10MV(MA.T)左右。大磁感应强度BM---霍尔传感器参数磁感应强度超过BM时，霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大，特斯捡(T)成几千高斯(Gs)(1Gs=104T)。在额定激励电流F，当外加磁场为零时它是由于4个屯的几何尺寸不对称引起的误差。霍尔传感器屯势温度系数6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势，使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下，温度每变化1摄氏度时，霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数，它与霍尔传感器元件的材料有关。

　　光电效应的实验设备如下图所示。光电管的阳处理A接高电位，负级K接低电势差，则阳处理和负级正中间有个加速电场，电场方向由A偏重K。正中间的工作频率由电流计V载入，工作频率的规格由变阻器R得出。图中，G是机敏电流计。实验注重，当负级没有遭到光照射时，开关电源原理中大部分没有电流值；当负级遭到光照射时，开关电源原理中就马上电流值出现。光照多久，电流值就维持多久；光照停止，电流值也就消散。这就说明当光照射时，有电子元器件从电子光学负级逸出。在加速电场作用下，电子元器件飞向阳处理，从而在控制电路中造成光电流。