详细说明
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后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,当电流垂直于外磁场通过导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变,在一定条件下,可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小,由此建立了磁场与电压信号的联系,根据这一关系式,人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。
数字接口,通信能力强由于光电传感器下传的就是光数字信号,与通信网络容易接口,且传输过程中没有测量误差。同时随着微机化的保护控制设备的广泛采用,光电互感器可以直接向二次设备提供数字量,这样就能省去原来保护装置中的变换器和A/D采样部分,使二次设备得到大大的简化,推动保护新原理的研究。体积小,重量轻、易升级,满足变电站小型化与紧凑型的要求,由于光电传感器是靠传感头和电子线路进行信号的获取和处理,体积小,重量一般在 1000 kg以下,便于集成在AIS或GIS中,这样将大大减少变电站的占地面积,满足变电站小型化和紧凑化的要求。同时光电互感器通过少量光缆与二次设备连接,可使电缆沟和电缆大为减。
纯半导体器件在灯源照射下,其禁带中的电子元器件遭到机械能超出或等于禁带宽度Eg(eV)的光子美容的激发,由价带越过禁带自由电子到导带,变为自由电子。一块儿,价带也因此而造成随便空蚀。造成纯半导体器件中导带的电子元器件和价带的空蚀质量浓度扩张,半导体器件电阻器降低。得出图(a)图例。电子元器件和空蚀统称为载流子。她们在端电压作用下均可造成光电流。当光照停止后,自由电子被缺失电子元器件的分子结构虏获,变阻器又修补固定资产原值。能使价带电子元器件自由电子到导带的光谱分析仪层面中,其很大的光波长λ0(nm)称作截止波长,λ0≈1240/Eg。