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　　利用硅的压阻效应和微电子技术制成。压阻效应:单晶硅在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化。定义:是将被测参数转换成电容量的测量装置。与电阻、电感式传感器相比具有测量范围大、灵敏度高、动态响应时间短、机械损失小、结构简单等优点。缺点:寄生电容（包括连接电容板的导线电容和传感器本身的泄露电容）影响较大。电容的公式:  ,式中:C为电容量，ε为两板间介质的介电常数，S为板相互覆盖面积，d为板间距。

　　暗电流、暗阻:在一定外加电压下，当无光（ 0 lx照度）照射时，流过光敏电阻的电流称暗电流；外加电压与该电流之比为暗阻，一般几百kΩ~几千kΩ以上。大工作电压:一般几十伏百伏。环境温度:一般-25℃至 +55℃，有的型号可以-40℃至+70℃。额定功率（功耗）:光敏电阻的亮电流与外电压乘积；可有5mW至300mW多种规格选择。光敏电阻的主要参数还有响应时间、灵敏度、光谱响应、光照特性、温度系数、伏安特性等。

　　国家标准GB7665-87对传感器下的定义是:“能感受规定的被测量件并按照一定的规律（数学函数法则）转换成可用信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成”。“传感器”在新韦式大词典中定义为:“从一个系统接受功率，通常以另一种形式将功率送到第二个系统中的器件”。根据这个定义，传感器的作用是将一种能量转换成另一种能量形式，所以不少学者也用“换能器（Transducer）”来称谓“传感器”。