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　　传感器光电二管元件图像传感器的关键在于光电二管的大小或元件的大小。使用小光电二管的传感器元件所捕获的光子数量没有使用大的光电二管多。如果元件尺寸小于可捕获的可见光波长(如长度为400纳米的蓝光)，那么为了校正图像颜，在传感器设计中克服其他问题。传感器厂商花费大量精力来设计优化元件大小，以确保的颜能同等成像(如图3所示)。在端的情况下，由于缺乏累积的光子和传感器读出噪声，小的传感器可能对噪声更加敏感。如果二发光管传感器元件太大，那么硅材料的颗粒大小和费用会增加，这没有优势可言。一般商业传感器设备具有的传感器元件大小至少为1平方微米，每个生产厂商会不同，但为了满足某些的需求会有一些折中。

　　这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电，电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面，使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时，导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧，从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转，则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用，通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。

　　纯半导体器件在灯源照射下，其禁带中的电子元器件遭到机械能超出或等于禁带宽度Eg（eV）的光子美容的激发，由价带越过禁带自由电子到导带，变为自由电子。一块儿，价带也因此而造成随便空蚀。造成纯半导体器件中导带的电子元器件和价带的空蚀质量浓度扩张，半导体器件电阻器降低。得出图（a）图例。电子元器件和空蚀统称为载流子。她们在端电压作用下均可造成光电流。当光照停止后，自由电子被缺失电子元器件的分子结构虏获，变阻器又修补固定资产原值。能使价带电子元器件自由电子到导带的光谱分析仪层面中，其很大的光波长λ0（nm）称作截止波长，λ0≈1240/Eg。