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　　利用硅的压阻效应和微电子技术制成。压阻效应:单晶硅在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化。定义:是将被测参数转换成电容量的测量装置。与电阻、电感式传感器相比具有测量范围大、灵敏度高、动态响应时间短、机械损失小、结构简单等优点。缺点:寄生电容（包括连接电容板的导线电容和传感器本身的泄露电容）影响较大。电容的公式:  ,式中:C为电容量，ε为两板间介质的介电常数，S为板相互覆盖面积，d为板间距。

　　传感器静态特性传感器静态特性的主要有:线性度、灵敏度、迟滞性、重复性、漂移(温漂和零点飘移)等。线性度:指传感器输出量与输入量之间的实际关系曲线偏离拟合直线的程度。定义为在全量程范围内实际特性曲线与拟合直线之间的大偏差值与满量程输出值之比。灵敏度:是指传感器输出的变化量与引起该输出变化量的输入变化量的比值。重复性:重复性是指传感器在输入量按同一方向作全量程连续多次变化时，所得特性曲线不一致的程度，且越大越好。

　　基本特性的评价测量范围:是指传感器在允许误差限内，其被测量值的范围；量程:则是指传感器在测量范围内上限值和下限值之差。过载能力:一般情况下，在不引起传感器的规定性能永久改变条件下，传感器允许超过其测量范围的能力。过载能力通常用允许超过测量上限或下限的被测量值与量程的百分比表示。灵敏度:是指传感器输出量Y与引起此变化的输入量的变化X之比。灵敏度表示传感器或传感检测系统对被测物理量变化的反应能力。灵敏度越高越好，因为灵敏度越高，传感器所能感知的变化量越小，即被测量稍有微小变化，传感器就有较大输出。K值越大，对外界反应越强。