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　　这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电，电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面，使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时，导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧，从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转，则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用，通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。

　　基于此效应的光电器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。通过设计和制造工艺，使光电池工作在无外接电源下，则以光伏效应工作。光敏管工作在反向偏压下，则同时存在光导效应和光伏效应。它们输出的光电流与光照强度均具有线性关系。光电磁效应（简称PEM效应）半导体受强光照射，并在光照垂直方向外加磁场时，垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。

　　传感器未来发展趋势随着万物互联时代的到来，以及新材料，新技术的广泛应用，传感器将呈现以下发展趋势。“智能化” 。传感器的智能化，主要表现在自主感知、自主决策等方面能力的升级和增强，同时与人之间的交互也会更加流畅。“微型化” 。传感器本质属于半导体，遵循摩尔定律，微型化是其发展的趋势之一。微型化的传感器一方面能够降低加工生产成本，另一方面微型传感器的能耗也能够得到大幅度的降低。