详细说明
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产品特点:
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M1电流传感器为了消除上述磁场检测型在安装难度(有铁芯)和功率损耗(无铁芯)方面的缺点,ROHM开发出了使用MI(Magneto Impedance)元件的磁场检测型非接触型电流传感器。MI传感器作为使用非晶丝,利用其磁阻抗效应的新一代传感器,其特点是具备超高灵敏度的磁性检测能力。灵敏度远超霍尔元件,可高精度检测磁性的微小变化。因此,无需将电流引入封装内,也能以高精度进行非接触式电流检测(磁性检测)。
光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件,这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下,物块内的电子元器件逸出物块表面,向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化,或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下,电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况,而导致原料电阻器的变化,这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻(也称电子光学塑料软管),其普遍的原料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。
温度或压力传感器霍尔效应传感器也可用作压力和温度传感器,这些传感器与带有适当磁铁的压力偏转膜片结合在一起,波纹管的磁性组件来回致动霍尔效应元件。在压力测量的情况下,波纹管受到膨胀和收缩。波纹管的变化导致磁性组件移动靠近霍尔效应元件。因此,产生的输出电压与施加的压力成正比。在温度测量的情况下,波纹管组件用具有已知热膨胀特性的气体密封。当腔室被加热时,波纹管内的气体会膨胀,这会导致传感器产生与温度成比例的电压。