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　　回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列，固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA，时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列

　　开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列，传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。

　　光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应，如光电池等。

　　灵敏度KH=EH/IB，它的数值约为10MV(MA.T)左右。大磁感应强度BM---霍尔传感器参数磁感应强度超过BM时，霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大，特斯捡(T)成几千高斯(Gs)(1Gs=104T)。在额定激励电流F，当外加磁场为零时它是由于4个屯的几何尺寸不对称引起的误差。霍尔传感器屯势温度系数6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势，使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下，温度每变化1摄氏度时，霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数，它与霍尔传感器元件的材料有关。

　　光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此，光电式传感器在检测和控制中应用广泛。光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电物理量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。新的光电器件不断涌现，是CCD图像传感器的诞生，为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。