详细说明
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产品特点:
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N型或P型掺杂半导体在光照射下,光子能量只要分别大于施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei(eV),光能即被吸收,激发出能参与导电的光生电子或空穴。掺杂半导体产生光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。图 光电导效应机理图当光敏电阻接上直流电压Vb,并用一定强度、波长小于λ0的光线连续照射时,其输出直流电流i0为式中,η 内光量子效率(光生载流子数与人射光子数之比);μc——多数载流子的迁移率;τ——多数载流子寿命;d——光敏电阻两电间距;p——入射光功率;e——普朗克常数,为6.6261×10-34J•s。
地磁传感器导出的北称为磁北(略偏离北)。通过上述方程式计算该磁北的角度,可以容易知道方向。磁传感器是一种旨在测量磁场的大小和方向的传感器。根据目的不同有多种传感器,以下列举典型的传感器。脉搏波是心脏发送血液时产生的血管的体积变化波形,监测该体积变化的检测器称为脉搏传感器。首先,测量心率有四种方法,心电图、光电脉波法、血压测量法、心音描记法等。其中的光电脉波法是使用脉搏传感器进行测量的方法。
温度升高,输入电阻变小,从而使输入电流变大,引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响,好采用恒流源作为激励源。两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻,它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配,可以使由温度引起的程水电势的漂移减至小。大激励电流I---霍尔传感器参数由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大,程尔元件的功耗增大,元件的温皮升高,从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大,因此每种型号的几件均规定了相应的大激励电流,它的数值从几毫安至几百毫安。