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　　这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电，电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面，使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时，导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧，从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转，则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用，通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。

　　利用新材料更的性能来提高电感式传感器的性能是未来发展趋势之一。例如电感式接近开关其内部结构是在铁氧体磁芯上绕制线圈作为电感线圈，而铁氧体磁芯自身的限制使得电感式传感器不可能在已有的设计理念下发展，那么只能寻找新材料用来替代铁氧体线圈，从而生产出有性能的传感器。基于MEMS硅微加工技术，电感式传感器具有体积小、低功耗等特点，易于集成在各种模拟和数字电路中，便于在应用在各个领域。这也是传感器的主要发展方向之一。

　　VH=HIB sinα其中H是整体灵敏度系数，它取决于板材料、温度及其几何形状，α是磁场矢量和霍尔板之间的角度，I是电流密度。另外，整体灵敏度取决于霍尔系数，霍尔系数是每单位电流密度每单位磁场强度的横向电势梯度。因此，霍尔系数给出为:H = 1/Ncq、其中c是光速，N是每单位体积的电子数。霍尔效应传感器如果传感器使用霍尔效应来感知磁场的存在，这种传感器称为霍尔效应传感器。磁传感器的基本元件是霍尔元件，这些传感器通常封装在一个四端子外壳中，其中两个端子是控制端子，另外两个是差分输出端子。