详细说明
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产品特点:
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利用硅的压阻效应和微电子技术制成。压阻效应:单晶硅在受到应力作用后,其电阻率发生明显变化。定义:是将被测参数转换成电容量的测量装置。与电阻、电感式传感器相比具有测量范围大、灵敏度高、动态响应时间短、机械损失小、结构简单等优点。缺点:寄生电容(包括连接电容板的导线电容和传感器本身的泄露电容)影响较大。电容的公式: ,式中:C为电容量,ε为两板间介质的介电常数,S为板相互覆盖面积,d为板间距。
静态标定是给传感器输入已知不变的标准非电量,测出其输出,给出标定方程和标定常数,计算其灵敏度,线性度,滞差,重复性等传感器的静态。传感器的静态标定设备有力标定设备,压力标定设备,温度标定设备等。对设备要求:具有的精度;量程范围应与被标定传感器的量程相适应;性能稳定,使用方便,能适应多种环境。传感器的动态标定的目的是检验测试传感器的动态性能。动态标定是通过确定其线性工作范围,频率响应函数,幅频特性和相频特性曲线,阶跃响应曲线,来确定传感器的频率响应范围,幅值误差和相位误差,时间常数,阻尼比,固有频率等。
带背景/前景消影功能的光电传感器对比度检测光电传感器荧光检测光电传感器颜检测光电传感器光电传感器的开关输出形式:常开/常闭 VS 亮通/暗通。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类,而内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。所谓的外光电效应是指:在光的照射下,物体内的电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。根据外光电效应制成的器件有光电管,光电倍增管等。而(半导体的)内光电效应是指:光照射在光敏材料上,材料中处于价带的电子吸收光子的能量后,通过禁带跃迁至导带,使导带内电子浓度和价带内空穴增多,即激发出电子空穴对,从而使半导体材料的电阻率发生变化或产生光生电动势的现象。