详细说明
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产品特点:
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传感器未来发展趋势随着万物互联时代的到来,以及新材料,新技术的广泛应用,传感器将呈现以下发展趋势。“智能化” 。传感器的智能化,主要表现在自主感知、自主决策等方面能力的升级和增强,同时与人之间的交互也会更加流畅。“微型化” 。传感器本质属于半导体,遵循摩尔定律,微型化是其发展的趋势之一。微型化的传感器一方面能够降低加工生产成本,另一方面微型传感器的能耗也能够得到大幅度的降低。
纯半导体在光线照射下,其禁带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度Eg(eV)的光子的激发,由价带越过禁带跃迁到导带,成为自由电子。同时,价带也因此而形成自由空穴。致使纯半导体中导带的电子和价带的空穴浓度增大,半导体电阻率减小。电子和空穴统称为载流子。它们在端电压作用下均可形成光电流。当光照停止后,自由电子被失去电子的原子俘获,电阻又恢复原值。能使价带电子跃迁到导带的光谱范围中,其大的波长λ0(nm)称为截止波长,λ0≈1240/Eg。
光电效应的实验装置物质在光的作用下释放出电子,这种现象叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。受光照物体电导率发生变化,或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电阻率的变化,这种现象称为光电导效应。大多数的高电阻率半导体都具有光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻(也称光电导管),其常用的材料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。