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　　PN结光生伏特效应光照射到距表面很近的半导体PN结时，结及附近的半导体吸收光能。若光子能量大于禁带宽度，则价带电子跃迁到导带，成为自由电子，而价带则相应成为自由空穴。这些电子空穴对在PN结内部电场的作用下，电子移向N区外侧，空穴移向P区外侧，结果P区带正电，N区带负电，形成光电动势。PN结光生电流与人射光照度成正比，光生伏特与照度对数成正比。由于光生电子、空穴在扩散过程中会分别与半导体空穴、电子复合，因此载流子的寿命与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚度小于扩散长度，才能形成光电流产生光生伏特。在工程上，利用改变PN结距表面厚度的大小的方法，可以调整基于PN结光生伏特效应的光电器件的频率响应特性、光电流和光生电势大小。

　　通过将霍尔效应传感器与电磁铁结合使用，可以获得更灵敏、更的隔离式电流传感装置。这种布置由一个开槽铁氧体环形磁芯和一个位于间隙中的霍尔效应 IC传感器组成。传感器被磁芯包围，因此磁芯充当通量集中器，因为它将感应磁场聚焦到霍尔元件放置的位置，如下图所示。通过改变磁芯上的绕组数量，该传感器可以测量几安培到几千安培的电流。霍尔效应传感器的输出电压与流过绕组的电流成正比，因此与电流测量值成正比。

　　这种变送器可分档测量(–5×105～6×105)N/m2压力，输出信号电压为(0～50)mV，精度为1.5级。用于测定振动物体的频率和振幅时其激励频率是振动频率的十倍以上，才能得到的测量结果。可测量的振幅为(0.1～5)mm，振动频率为(0～150)Hz。电涡流式传感器的应用电涡流式传感器具有测量范围大、灵敏度高、结构简单、抗干扰能力强和可以非接触测量等优点，被广泛应用于工业生产和科学研究各个领域中。