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　　依据此效应的半导体器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。依据方案设计和生产加工制作工艺，使光电池工作上在无外置电源下，则以太阳能发电站效应工作上。光感应管工作上在反方向偏压下，则一块儿存在光导效应和太阳能发电站效应。她们输出的光电流与光照强度均具有线性相关。电子光学磁效应（统称PEM效应）半导体器件受强光照照射，并在光照竖直方向多加磁场时，垂直平分光和磁场的半导体器件两侧面间导致电势差的情况称作电子光学磁效应。它可以作为是光扩散电流值的霍尔效应。

　　模拟霍尔效应传感器与基本霍尔传感器相比，模拟霍尔效应传感器在更宽的电压范围内工作，并且在嘈杂的环境中也很稳定。下图显示了模拟输出霍尔效应器件，它产生的模拟电压与它所暴露的磁场成正比。放大器具有偏置或固定偏移，因此当磁场不存在时，偏置电压出现在输出端，这被认为是零电压。霍尔元件处的磁场可以是正的也可以是负的。因此，当感测到正磁场时，输出电压增加到高于零值，而当感测到负磁场时，输出降低到零值以下。

　　霍尔传感器在各大领域的应用按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量。例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。线性型霍尔传感器主要用于一些物理量的测量。