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　　后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系，根据这一关系式，人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。

　　灵敏度KH=EH/IB，它的数值约为10MV(MA.T)左右。大磁感应强度BM---霍尔传感器参数磁感应强度超过BM时，霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大，特斯捡(T)成几千高斯(Gs)(1Gs=104T)。在额定激励电流F，当外加磁场为零时它是由于4个屯的几何尺寸不对称引起的误差。霍尔传感器屯势温度系数6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势，使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下，温度每变化1摄氏度时，霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数，它与霍尔传感器元件的材料有关。

　　自动驾驶技术的兴起，也进一步推动了MEMS传感器进入汽车领域。自动驾驶汽车需要大量的传感器进行感知定位，其中自动驾驶系统中的传感器主要包括摄像头、红外传感器、毫米波雷达、中短距离毫米波雷达、长距离毫米波雷达、激光雷达、超声波雷达等。在工业生产领域，传感器应用广泛，工业生产各个环节都需要传感器进行监测，并把数据反馈给控制中心，以便对出现异常节点进行及时干预，工业生产正常进行。在工业机器人中，主要应用的传感器有位置传感器、接近传感器、速度传感器、力觉传感器、触觉传感器、视觉传感器、气压传感器等。