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　　光敏电阻器光敏电阻器由能透光的半导体光电晶体构成 ,因半导体光电晶体成分不同，又分为可见光光敏电阻（硫化镉晶体）、红外光光敏电阻（砷化镓晶体）、和紫外光光敏电阻（硫化锌晶体）。当敏感波长的光照半导体光电晶体表面，晶体内载流子增加，使其电导率增加（即电阻减小）。光敏电阻的主要参数:光电流 、亮阻:在一定外加电压下，当有光（100lx照度）照射时，流过光敏电阻的电流称光电流；外加电压与该电流之比为亮阻，一般几kΩ~几十kΩ。

　　对射型传感器:发射器/接收器使用独立的供电电源。 接收器的信号产生标志着有无物体遮挡。 当物体阻挡光束时，触发并发出输出信号。 目标大小应大于有效感应光束。镜面反射传感器:发射器和接收器在一个单元内。 反射板直接将光反射给接收器。 可以用到一个或者两个透镜漫反射传感器:发射器和接收器被安装在一个单元内。 传感器利用物体自身的反光作用，无需使用辅助设备，如反射镜，反射光被接收器感应。 目标的颜相差很大，将直接影响传感范围。光电传感器的扩展类型:

　　光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射的光子产生电子空穴对，使其自身电导率发生变化的现象（光敏电阻、光电二管、光电三管）。光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势（光电池）。红限频率:产生光电效应所需照射光的频率叫做红限频率（又称截止频率）。逸出功:电子克服原子核的束缚，从材料表面逸出所需的小能量，称为逸出功。爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中，Ek 表示逸出的光电子所具有的动能，普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s，ν 表示入射光的频率，Wo表示逸出功 ）。