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　　霍尔传感器是基于霍尔效应的磁传感器。将一个有电流的物体放在磁场中。如果电流方向和磁场方向相互垂直，则在同时垂直于磁场和电流方向的方向上会产生横向电位差。这种现象称为霍尔效应，由此产生的电位差称为霍尔电压。霍尔器件由产生显着霍尔效应的半导体材料制成。作为霍尔传感器中的磁电转换元件，可用于电磁测量，如测量磁场、电流、电功率等磁物理量和电。霍尔传感器还可以利用磁场作为介质，实现许多物理量的非接触式测量。

　　光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。

　　用磁场作为被传感物体的运动和位置信息载体时，一般采用永久磁钢来产生工作磁场。例如，用一个5×4×2.5（mm3）的钕铁硼Ⅱ号磁钢，就可在它的磁表面上得到约2300高斯的磁感应强度。在空气隙中，磁感应强度会随距离增加而迅速下降。为霍尔器件，尤其是霍尔开关器件的工作，在应用中要考虑有效工作气隙的长度。在计算总有效工作气隙时，应从霍尔片表面算起。在封装好的霍尔电路中，霍尔片的深度在产品手册中会给出。