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　　因为电荷被限制在像素以内，所以CMOS图像传感器的另一个固有的优点就是它的防光晕特性。在像素位置内产生的电压先是被切换到一个纵列的缓冲区内，然后再被传输到输出放大器中，因此不会发生传输过程中的电荷损耗以及随后产生的光晕现象。它的不利因素是每个像素中放大器的阈值电压都有细小的差别，这种不均匀性就会引起固定图像噪声。然而，随着CMOS图像传感器的结构设计和制造工艺的不断改进，这种效应已经得到显著弱化。

　　压是工业实践中为常用的一种传感器，而我们通常使用的主要是利用压电效应制造而成的，这样的传感器也称为压电传感器。我们知道，晶体是各向异性的，非晶体是各向同性的。某些晶体介质，当沿着一定方向受到机械力作用发生变形时，就产生了化效应；当机械力撤掉之后，又会重新回到不带电的状态，也就是受到压力的时候，某些晶体可能产生出电的效应，这就是所谓的化效应。科学家就是根据这个效应研制出了压。压电效应是压电传感器的主要工作原理，压电传感器不能用于静态测量，因为经过外力作用后的电荷，只有在回路具有无限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的，所以这决定了压电传感器只能够测量动态的应力。

　　安装使用注意事项:LVDT位移传感器主要用于微位移精密测量的高精度位移传感器，防护等级较高，不受外界水、油、粉尘等因素影响，不过对外界静电干扰、高频干扰及电磁干扰等因素敏感，使用中应注意尽量避开上述干扰源。用户在安装固定传感器时，应尽量采用厂家提供的塑料支架或者金属支架，如果需要采用自制夹具安装固定时，应在厂方技术人员的指导下设计安装。角位移传感器有:导电塑料角位移传感器、霍尔/磁敏角位移传感器与倾角传感器。