1.碲化镉在太阳能领域的应用

　　在面对环境污染、全球气候变暖，以及廉价载能体很快将会枯竭等问题的背景下，远景战略（到2100年）中已明确提出，太阳能将占到世界能源生产60%的份额，并将逐步替代传统化石能源，如天然气、石油、煤等。目前，全球太阳能所占份额还很小，世界各国生产用于太阳能转换的所有电池的总功率为15600兆瓦，其中2008年生产的电池功率为5600兆瓦，约合159亿美元。预计到2015年，年产量可增大到约30000兆瓦。

　　变换禁带宽度（1.45-2.26电子伏特）可以使CdZnTe成为光电转换器中很有前景的吸收层材料。早期的文献中就曾有报导，此种材料的光电转换器效率可以达到25%。

　　目前世界年生产碲化镉基太阳能电池约720兆瓦，是2003年初期产量（25兆瓦）的14倍强。预计到2015年，碲化镉基太阳能电池市场约为1400-1600兆瓦，而就Cd1-xZnxTe层的培育而言，则要使用高纯的CdTe和ZnTe粉末（5N以上）。

　　由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。

　　多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1:1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。

　　单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。

　　生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。

　　产品介绍

　　产地: 中国湖北

　　产品名称:碲化镉(CdTe)，4N，100目

　　产品形状:   棕黑色晶体粉末

　　规格: 4N，100目

　　产品包装:涤纶薄膜包装后，塑料薄膜真空封装或玻璃管真空封装。

　　产品用途

　　光谱分析。CO2激光器的Q调制。也用于制作太阳能电池，红外调制器，HgxCdl-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件等。