LY68L6400SLIT 64M 位串行伪 SRAM，带 SPI 和 QPI

　　特点

　　 50Ω 输出驱动强度 LVCMOS。

　　 线性脉冲串（连续）或 32 字节包裹

　　线性突发（连续）或 32 字节包裹突发（通过切换命令）。

　　 支持高达 84MHz 的线性突发，只要有 tCEM，就可以跨页边界。

　　只要满足 tCEM，即可跨页边界。

　　 软件复位。

　　 提供绿色封装

　　 封装:8 引脚 150mil SOP

　　8 引脚 2mm x 3mm DFN

　　规格

　　 单电源电压:

　　 VCC=2.7 至 3.6V

　　 接口: 带 SDR 模式的 SPI/QPI

　　 性能: 时钟速率高达

　　133MHz（非页面边界交叉）

　　84MHz（页面边界交叉）

　　 组织: 64Mb，8M x 8 位

　　 可寻址位范围: A[22:0]

　　 页面大小:1024 字节

　　 刷新: 自管理

　　 工作温度范围

　　 TC = -40°C 至 +85°C

　　 最大待机电流:

　　 200µA @ 85°C