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　　IGBT失效时参数变化规律

　　过电流

　　1. 擎住效应

　　由于IGBT是复合器件，其体内存在一个寄生晶闸管，在NPN管的基极和发射极之间存在一个体驱短路电阻R，在规定的漏极电流范围内，P型体区的横向空穴流会产生一定的压降，对J3结而言相对于一个正偏置电压。在规定的漏记电流范围内，NPN晶体管的正编压不足以使NPN和PNP管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，栅极失去控制作用，便发生了锁定效应，它使集电极电流Ic增大，进而造成过高的功耗而导致IGBT器件的损坏。

　　2.长时间过流运行

　　IGBT长时间过流运行是指IGBT的运行指标达到或超过反向偏置运行安全工作区所限定的电流安全边界，这导致IGBT因为长时间过电流而发热损坏。