详细说明
100nF排容,1206 104三星排容,1206 X7R 100nF排容
序号 | 产品类型 | 电容型号 | 电容容值 | 电容尺寸 | 电容精度 | 材质 | 额定电压 | 电容厚度 |
1 | 三星陶瓷电容 | CL21B683KBCNNNC | 68nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 0.85 mm |
2 | 三星陶瓷电容 | CL21B683KBFNNNE | 68nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
3 | 三星陶瓷电容 | CL21B104KBCNNNC | 100nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 0.85 mm |
4 | 三星陶瓷电容 | CL21B104KBFNNNE | 100nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
5 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KBFNNNE | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
6 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KAFNNNE | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 25V | 1.25 mm |
7 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KOCNNNC | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 0.85 mm |
8 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KOFNNNE | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 1.25 mm |
9 | 三星陶瓷电容 | CL21B474KBFNNNE | 470nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
10 | 三星陶瓷电容 | CL21B474KAFNNNE | 470nF | 805 | ±10% | X7R | 25V | 1.25 mm |
11 | 三星陶瓷电容 | CL21B474KOFNNNE | 470nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 1.25 mm |
12 | 三星陶瓷电容 | CL21B684KOFNNNE | 680nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 1.25 mm |
13 | 三星陶瓷电容 | CL21B684KPFNNNE | 680nF | 805 | ±10% | X7R | 10V | 1.25 mm |
14 | 三星陶瓷电容 | CL21B105KBFNNNE | 1μF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
15 | 三星陶瓷电容 | CL21B105KLFNNNE | 1μF | 805 | ±10% | X7R | L | 1.25 mm |
目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性,主要可分为两大类:BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R(X5R)产品。
C0G类MLCC的容量多在1000pF以下,该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的C0G产品DF值范围是
(2.0~8.0)×10-4,而技术创新型碱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0~2.5)×10-4,约是前者的(31~50)%。该类产品在载有T/R模块电路的
GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。
X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上,该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。