产品应用领域:
高压贴片电容用于:照明电源产品，高低频无极灯电源,通讯电源交换机，LED日光灯恒流驱动电源,汽车HID灯(安定器),模块电源、医疗电源，LED阻容降压、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、LED圣诞灯,节能灯等以及各类电子产品中.
高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器，是一种用陶瓷粉生产技术，内部为贵金属钯金，用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。NPO具有小的封装体积，高耐温度系数的电容，高频性能好，用于高稳定振荡回路中，作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流（AC)脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，所以不建义使用在交流电路中。
高压贴片电容分三类:
一类为温度补偿型NPO介质
NP0又名COG电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数型X7R介质
X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体型X5R介质
X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。
优点:封装体积小,质量稳定，绝缘性能高，耐高压 缺点:容量较小，目前最大100UF，易于被脉冲电压击穿。
性能参数:
1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V
2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容规格如下 :
1KV 100p 1206封装
1KV 221 1206封装
1KV 102 1206封装
1KV 222 1206封装
1KV 472 1206封装
1KV 103 1206封装
630V 104 1812封装
10U/25V 1210封装
10U/50V 1210封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于2。5%
可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~
TDK原装新货大量供应
TDK电容---C3216X7R1E225KT 1206 225K 25V X7R
TDK电容---C3216X7R1E475KT 1206 475K 25V X7R
TDK电容---C3216X7R1H475KT 1206 475K 50V X7R
TDK电容---C3216X7R1C106KT 1206 106K 16V X7R
TDK电容---C3216X5R1C226KT 1206 226K 16V X5R
TDK电容---C3225X5R1A476MT 1210 476M 10V X5R
TDK电容---C3225X5R1E106KT 1210 106K 25V X7R
TDK电容---C3225X7R1H475KT 1210 475K 50V X7R
TDK电容---C3225X7R1H335KT 1210 335K 50V X7R
TDK电容---C4532X7R1H475KT 1812 475K 50V X7R
TDK电容---C4532X7R1E106KT 1812 106K 25V X7R
TDK电容---C4532X5R1C226KT 1812 226K 16V X5R
TDK电容---C4532X5R0J107MT 1812 107M 6.3V X5R
LED阻容降压电路常用高压贴片和大容量贴片电容规格-（代替插件CBB）
1210、1812、2220封装
1210 224K 250V X7R
1210 104K 250V X7R
1210 334K 250V X7R
1210 474K 250V X7R
1812 224K 250V X7R
1812 224K 500V X7R
1812 334K 250V X7R
1812 474K 250V X7R
1812 684K 250V X7R
1812 105K 250V X7R
2220 475K 100V X7R
2220 225K 250V X7R
2220 224K 630V X7R
以上都为X7R材质，耐125度高温。
更多规格欢迎咨询。
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