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　　集成电路(IntegratedCircuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高性方面迈进了一大步。那么，是否人体一旦静电不受控，裸手触摸静电敏感IC，就会导致IC损坏么?而事实上，确实有企业验过，很少有发现IC(HBM-200V)损坏，即使是人体静电达1000V。要解决这个问题，就需要深入到了解IC器件ESD失效机理的层面上。例如IC器件中常见的MOS(MetalOxdideSemiconductor)管，其主要ESD失效机理是电缘层(电介质层)在遭受过高的静电场作用下发生击穿，瞬间产生大ESD电流导致缘层发生热损坏，从而导致IC的原有设计功能失效。由此认识得出，IC器件中缘层受到较高的静电场作用，才是IC是否发生ESD失效的根本因素。

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　　如果以上情况没有发生，可以切换手表的红黑笔，按照上面的方法进行测试，直到判断网格是否正确。一般情况下，结型场效应晶体管的源极和漏极在制造时是对称的。因此，在确定栅极G时，不需要区分源S和漏D，因为这两个极点可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千伏。三极管电极万用表测试也被用来区分三极管的三个电极与未标记的或未标记的类型。首先将万用表量程开关设置在r100或r1k电障上。红色手表笔随意接触三极管的一个电极，黑色手表笔依次接触三极管的另外两个电极，分别测量它们之间的阻值。如果测得的电阻是几百欧姆低，红色的手表笔接触电极基b，这管是PNP管。如果测量到数十至数百欧姆的高电阻，与红表笔接触的电极也是baseb，这个管是NPN管。