辽宁石英砂酸洗氟化氢铵工厂

　　氢氟酸中毒的急救方法

　　氢氟酸暴露后，急救的黄金时间是前几分钟。皮肤接触需立即用大量清水冲洗15分钟以上，随后涂抹葡萄糖酸钙凝胶以结合游离氟离子；若无凝胶，可用镁盐或钙盐溶液湿敷。眼睛接触时需持续冲洗至少30分钟并尽快就医。吸入蒸气者应转移至空气新鲜处，给予吸氧或支气管扩张剂。无论症状轻重，均需送医监测血钙水平和心电图，静脉注射钙剂可能是必要的。延误处理会导致不可逆损伤，因此现场急救与专业医疗同样重要。

　　(四)缝隙腐蚀 在设备焊接处存在有间隙；焊缝裂纹；垫片与密封面之间的间隙；螺母接触面间隙。在这些间隙和缝隙之间聚存着一部分静止的酸液，而且这里的酸液不断积聚浓缩使已形成的保护膜被高浓度的氢阳离子破坏，从而使腐蚀加剧。 常用材料的耐氢氟酸腐蚀特性1）碳钢在一定范围内能耐氢氟酸腐蚀。在无水氢氟酸中(酸浓度85～高标准，酸中含水≯3%)碳钢使用温度不高于71℃。（P76）但也有资料报道“在60℃以下，浓度大于75%以上的氢氟酸可以选用碳钢。”蒙乃尔合金是目前抗氢氟酸腐蚀较好的金属材料之一。 Ni＋2HF→NiF2＋H2

　　23、 热氧化利用氧化技术，在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽，再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。

　　25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域，而后将晶圆表面之光刻胶去除。

　　26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护器件表面，免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术，将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。

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　　8、去除氮化硅将晶圆表面的氮化硅，利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。9、N阱离子注入利用离子注入技术，将磷打入晶圆中，形成n 型阱。而在P 型阱的表面上由于有一层二氧化硅膜保护，所以磷元素不会植入打入P 型阱之中。

　　10、N阱退火离子注入之后会严重地破坏硅晶圆晶格的完整性。所以掺杂离子注入之后的晶圆经过适当的处理以回复原始的晶格排列。退火就是利用热能来消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。同时使注入的掺杂原子扩散到硅原子的替代位置，使掺杂元素产生电特性。

　　2）高铬钢和铬镍不锈钢在氢氟酸浓度高于50％的介质中有严重的点腐蚀。12Cr和1Crl8Ni9Ti等不锈钢在氢氟酸中生成的保护膜致密性差，即使在常温下也能为氢氟酸所破坏。一般不选用。3）铸铁本身性脆，机械性能差，碳、硫、磷、硅含量较高。不耐氢氟酸腐蚀。4）铜虽然在低温、稀酸中耐氢氟酸腐蚀，但不耐冲蚀。对流速较大的流动介质不能选用铜。在浓的氢氟酸中铜可耐66℃氢氟酸腐蚀 。5）铝不耐氢氟酸腐蚀。 6）金、银、铂等贵重金属抗氢氟酸能力比蒙乃尔合金还要好，但由于价格昂贵，一般不选用。