详细说明
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产品参数
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品牌:希芮
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公司行业:化工
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服务项目:过氧化物
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公司区域:广州
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用途:污水处理
- 产品优势
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产品特点:
安徽 中成 洗染专用保险粉、中成雕白块(粉),双氧水、氢氟酸、(进口/国产)珠碱、纯碱、聚丙烯酰铵离子,焦亚硫酸钠,亚硫酸钠、聚合氯化铝 磷酸,片碱、磷酸三钠,五水偏硅酸钠各种电镀原料,洗染原料,污水处理原料。
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服务特点:
广东省内可送货上门:省外支持物流发货。
清远工业级氢氟酸联系电话
氢氟酸与其他酸的对比
与盐酸、硫酸等强酸相比,氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤,而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强,但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外,氢氟酸的中和需特异性钙剂,而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性,常规酸防护措施可能不足以应对其风险。
7)非金属材料中聚四氟乙烯、橡胶对氢氟酸有较好的耐腐蚀性能,可用作密封材料 影响氢氟酸腐蚀的主要因素(一)氢氟酸浓度的影响 浓的氢氟酸腐蚀性能其微弱,而稀的氢氟酸则具有很强的腐蚀性,并且腐蚀性是随氢氟酸浓度的降低而加剧。原因:浓度降低,导电度增加,离子的迁移和扩散容易进行,影响腐蚀电流也较大。当降低到某个浓度时,腐蚀性较强。再降低浓度,腐蚀率将随之降低。(二)温度对腐蚀的影响。对化学反应来说.温度是一个关键的条件,温度升高,使反应加速,也能使腐蚀加剧。对于碳钢材料,当使用温度高于65℃时,因氟化铁(FeF2)保护膜失去作用,腐蚀急速加剧,建议选用蒙乃尔合金。(三)介质流速对腐蚀的影响。介质的流速对生成的保护膜有一定的影响,介质流速过高.保护膜受到介质冲刷易脱落,使金属的腐蚀速度加剧。保护膜附着力大小:蒙乃尔合金(NiF2) > 铜 (CuF2) > 钢(FeF2)四、氢氟酸防腐方法
十年过去了,现在还时不时的指头痒痒,要挠一挠!氢氟酸,是一种无透明、具有强烈刺激性气味的液体,是氟化氢气体的水溶液。 它是一种弱酸,但在一定浓度下,其酸性表现却强烈。 氢氟酸为引人注目的特性还是其强的腐蚀性。它能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体,这种腐蚀能力甚至超过了许多其他强酸。氢氟酸与金属反应时,会生成氢气和相应的金属氟化物,这一特性使得它在蚀刻玻璃、电镀表面处理等工业领域有着广泛的应用。但同时,这种腐蚀性也带来了大的隐患,如吸入氢氟酸蒸气或接触其液体都可能造成严重的灼伤和腐蚀。
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31、 定义出层金属的图形利用光刻技术定义出层金属的屏蔽。接着将铝金属利用活性离子刻蚀技术刻蚀出金属导线的结构
32、淀积二氧化硅利用PECVD 技术,在晶圆上沉积一层二氧化硅介电质,做为保护层。
33、 涂上二氧化硅将流态的二氧化硅﹝SOG,spin on glass﹞旋涂在晶圆表面上,使晶圆表面平坦化,以利后续之光刻工艺条件控制。34、 将 SOG 烘干由于SOG是将二氧化硅溶于溶剂中,因此要将溶剂加热去除掉。
23、 热氧化利用氧化技术,在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后,利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽,再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域,而后将晶圆表面的光刻胶去除。
25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后,再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域,而后将晶圆表面之光刻胶去除。
26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层,保护器件表面,免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术,将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。