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　　氢氟酸与其他酸的对比

　　与盐酸、硫酸等强酸相比，氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤，而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强，但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外，氢氟酸的中和需特异性钙剂，而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性，常规酸防护措施可能不足以应对其风险。

　　前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。3、淀积氮化硅利用低压化学气相沉积（LPCVD）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask及后续工艺中，定义P 型井区域。

　　4、P阱的形成将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。

　　参考:Razavi-7章 CMOS工艺技术-519暴力讲解半导体中的“氮化硅”

　　制造从约1mm厚的p型硅晶片开始。在清洁和抛光工序后,在晶片表面生长一层作为保护层的二氧化硅薄层,见图17.8(a)。接着,制作n阱,光刻工序包括光刻胶涂敷、用n阱掩模版进行紫外线曝光和选择性刻蚀,然后进行n卧离子注入,见网17.8(b),之后,去除无用的光刻校和氧化层.见图17.8（C）。

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　　六、如何减少或消除氢氟酸酸雾产生?置于干燥的环境中，酸雾的产生式因为空气中有水，所以你才可以看到酸雾

　　七、废氢氟酸怎么处理？

　　并不是的酸、碱溶液采用中和法进行处理的。如氢氟酸排放液的后处理，它不仅考虑排放液的pH值达到标准，还考虑F-的浓度不能大于国家规定的排放标准。因此，对于氢氟酸废液的处理只能采用石灰中和法，既提高排放液的pH值到6～9，还降低游离F-离子的浓度到10毫克/升以下，方可排放。石灰用量一般不低于纯氢氟酸量的2倍。

　　第三是治疗手段少以及诸多后遗症。如果不截肢，氢氟酸暴露通常只能用葡萄糖酸钙治疗:外用软膏擦暴露处，有时甚至是全身用。也能内服以结合氟离子。但是这种治疗方式会产生大量氟化钙不溶物:剂量小时可以通过肾代谢（也带来肾毒性），剂量大的时候会发全身各处结石，不可能以手术取出。很多“治愈者”面临的不仅是截肢带来的心理创伤，还有真切的肉体上的痛楚。文献上，稀的氢氟酸会形成红斑，大面积/浓氢氟酸会形成水泡，这就是滴到人身上的早期症状。郎溪中学那事，被灼烧的学生就是手指红斑+痒。后期因为细胞缺氧，可能会逐渐变黑溃烂。