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　　氢氟酸的化学特性

　　氢氟酸（HF）是一种无色透明的强酸，由氟化氢气体溶于水制成，具有极强的腐蚀性和毒性。与其他强酸不同，氢氟酸的酸性并非最强，但其独特的氟离子（F⁻）使其能够溶解许多其他酸无法腐蚀的物质，如玻璃、陶瓷和某些金属氧化物。这是因为氟离子能与二氧化硅（SiO₂）反应生成六氟硅酸（H₂SiF₆），从而破坏硅酸盐材料的结构。氢氟酸的弱解离性（部分电离）使其在低浓度下仍具有高渗透性，能够深入组织，造成严重伤害。

　　眼睛接触: 立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。

　　吸入: 迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。呼吸困难时给输氧，不可进行人工呼吸，可能导致进行人工呼吸者本人吸入氟化氢气体。给予2-4%碳酸氢钠溶液雾化吸入。就医。

　　食入: 用水漱口，给饮牛奶或蛋清。就医。危险特性: 本品不燃，但能与大多数金属反应，生成氢气而引起爆炸。遇H发泡剂立即燃烧。腐蚀性强。

　　UPSS级:适用于0.09～0.2μm和<0.09μmIC工艺技术的制作，是的级别，国内一家生产和大规模应用。UPS级:适用于0.35—0.80um集成电路加工工艺，金属杂质含量低于1.00ug/L，经过0.05um孔径过滤器过滤，控制0.20Ixm粒子，在100级净化环境中灌装达到SEMIC8标准。 UP级:适用于1.00um集成电路及TFT—LCD制造工艺，金属杂质含量低于10mg/kg，经过0.20um孔径过滤器过滤，控制0.50um粒子，在100级净化环境中灌装，达到SEMIC7标准。

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　　39、氮化硅的淀积

　　利用PECVD 沉积出氮化硅膜，形成保护层。

　　40、PAD的形成

　　利用光刻技术在晶圆表层制作出金属焊盘（Pa）的屏蔽图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊盘区域，以做为后续集成电路封装工艺时连接焊线的接触区。41、 将元件予以退火处理此一步骤的目的是让器件有佳化的金属电性接触与性，至此一个CMOS晶体管完成。

　　氢氟酸是氟化氢气体的水溶液,为无透明至淡颜冒烟液体。有发生反应性气味。分子式 HF-H2O。相对密度 1.15～1.18。沸点 112.2℃(按重量百分比计为38.2%)。市售通常浓度:约47% 。是弱酸氢氟酸腐蚀氢氟酸是一种剧毒和强腐蚀性的物质。其本身易挥发并且能与水互溶而引起强烈腐蚀。 一、氢氟酸腐蚀 (一)均匀腐蚀 氢氟酸对金属材料的腐蚀是电化学腐蚀。其腐蚀是按电化学过程进行，即阳产生金属溶解(均匀腐蚀)，阴析出氢(导致氢鼓泡和氢脆)