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　　氢氟酸与其他酸的对比

　　与盐酸、硫酸等强酸相比，氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤，而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强，但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外，氢氟酸的中和需特异性钙剂，而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性，常规酸防护措施可能不足以应对其风险。

　　UPSS级:适用于0.09～0.2μm和<0.09μmIC工艺技术的制作，是的级别，国内一家生产和大规模应用。UPS级:适用于0.35—0.80um集成电路加工工艺，金属杂质含量低于1.00ug/L，经过0.05um孔径过滤器过滤，控制0.20Ixm粒子，在100级净化环境中灌装达到SEMIC8标准。 UP级:适用于1.00um集成电路及TFT—LCD制造工艺，金属杂质含量低于10mg/kg，经过0.20um孔径过滤器过滤，控制0.50um粒子，在100级净化环境中灌装，达到SEMIC7标准。

　　35、 淀积介电层淀积一层介电层上。

　　36、 Metal2 接触通孔的形成利用光刻技术及活性离子刻蚀技术制作通孔（Via），以作为两金属层之间连接的孔道，之后去掉光刻胶。

　　37、Metal2的形成沉积第二层金属膜在晶圆上，利用光刻技术制作出第二层金属的屏蔽，接着蚀刻出第二层金属连接结构。38、淀积保护氧化层利用PECVD 方法沉积出保护氧化层。

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　　前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。3、淀积氮化硅利用低压化学气相沉积（LPCVD）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask及后续工艺中，定义P 型井区域。

　　4、P阱的形成将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。

　　专利摘要显示，本发明涉及废水处理技术领域，并公开了含氢氟酸水的处理装置以及含氢氟酸水的处理方法，其中，一种含氢氟酸水的处理装置，包括。该含氢氟酸水的处理装置，用于预处理废水的沉砂池，沉砂池的一侧通过管路连接有生物反应罐，生物反应罐的一侧设置有收集罐，收集罐内设置有吸附筒，吸附筒内腔设置有用于处理废水中氟离子的过滤组件，过滤组件的底部设置有用于清理过滤组件的自清理组件，该一种含氢氟酸水的处理装置，有效地解决目前含氢氟酸水的处理装置采用pH中和结合钙盐沉淀工艺，处理效果有限且存在成本较高的问题。