厚街工业级氟化氢铵公司

　　氢氟酸与其他酸的对比

　　与盐酸、硫酸等强酸相比，氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤，而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强，但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外，氢氟酸的中和需特异性钙剂，而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性，常规酸防护措施可能不足以应对其风险。

　　19、 电氧化层的形成此步骤为制做CMOS的关键工艺，利用热氧化法在晶圆上形成高品质的二氧化硅，做为电氧化层。20、 电多晶硅的淀积利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在晶圆表面沉积多晶硅，以做为连接导线的电。

　　21、 电掩膜的形成涂布光刻胶在晶圆上，再利用光刻技术将电的区域定义出来。

　　22、 活性离子刻蚀利用活性离子刻蚀技术刻蚀出多晶硅电结构，再将表面的光刻胶去除。

　　白或无透明的正方晶系结晶，商品呈片状，在-14.8℃-126.1℃下NH4HF2--H20体系中没有水合物,略带酸味,在空气中易潮解,微溶于乙醇,易溶于冷水,在热水中分解,水溶液呈强酸性,在较高温度下能升华,能腐蚀玻璃,氟化氢铵有度,对皮肤有腐蚀性,宜密闭于塑料容器中.主要用于磨砂玻璃生产中玻璃刻蚀剂(与氢氟酸并用)，可用作化学试剂、发酵工业和防腐剂、由氧化铍制金属铍的溶剂及硅钢板的表面处理剂。还用于制造陶瓷、镁合金、锅炉给水系统和蒸汽发生系统的清洗脱垢，以及油田砂石的酸化处理。也用作烷基化异构化催化剂组分。

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　　35、 淀积介电层淀积一层介电层上。

　　36、 Metal2 接触通孔的形成利用光刻技术及活性离子刻蚀技术制作通孔（Via），以作为两金属层之间连接的孔道，之后去掉光刻胶。

　　37、Metal2的形成沉积第二层金属膜在晶圆上，利用光刻技术制作出第二层金属的屏蔽，接着蚀刻出第二层金属连接结构。38、淀积保护氧化层利用PECVD 方法沉积出保护氧化层。

　　储存注意事项: 储存于阴凉、通风的库房。远离火种、热源。库温不超过30℃，相对湿度不超过85%。保持容器密封。应与碱类、活性金属粉末、玻璃制品分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备和合适的收容材料。监测方法:离子选择性电法；氟试剂－镧盐比法工程控制: 密闭操作，注意通风。尽可能机械化、自动化。提供淋浴和洗眼设备。

　　呼吸系统防护: 可能接触其烟雾时，佩戴自吸过滤式防毒面具（全面罩）或空气呼吸器。紧急事态抢救或撤离时，建议佩戴氧气呼吸器。