板芙工业级氢氟酸厂

　　氢氟酸的安全防护措施

　　处理氢氟酸需穿戴防酸手套（如丁基橡胶）、面罩和耐腐蚀围裙，工作区域应配备紧急淋浴器和眼冲洗装置。储存需使用聚乙烯或聚四氟乙烯容器，避免与玻璃、金属接触。泄漏时需用碳酸钙或石灰中和，严禁直接用水冲洗（可能扩大污染）。实验室使用时需在通风橱内操作，并备好葡萄糖酸钙解毒剂。员工应定期接受安全培训，熟悉应急预案，确保事故发生时能迅速采取中和、冲洗等关键措施。

　　氢氟酸英文名 hydrofluoric acid，分子式HF，分子量 20. 01，为无透明液体 ，相对密度1. 15～1 . 18，沸点 112 . 2 ℃，在空气中发烟 ，有刺激性气味 ，剧毒；能与一般金属、 金属氧化物以及氢氧化物发生反应 ，生成各种盐类；腐蚀性强 ，能侵蚀玻璃和硅酸盐而生成气态的四氟化硅；易溶于水、醇 ，难溶于其他有机溶剂。高纯氢氟酸为强酸性清洗、腐蚀剂 ，可与硝酸、冰醋酸、 双氧水及氢氧化铵等配置使用

　　可经皮肤吸收，氢氟酸酸雾经呼吸道吸入。对皮肤有强烈刺激性和腐蚀性。 氢氟酸中的氢离子对人体组织有脱水和腐蚀作用，而氟是活泼的非金属元素之一，与氢离子结合较牢(电离常数K=3.5×10^-4)。皮肤与氢氟酸接触后，非离子状态的HF不断解离而渗透到深层组织，溶解细胞膜，造成表皮、真皮、皮下组织乃至肌层液化坏死。氟离子与组织中的钙和镁离子结合形成难溶性盐。钙离子的减少使细胞膜对钾离子的通透性增加，钾离子从细胞内到细胞外导致神经细胞的去化而引起剧痛。

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　　19、 电氧化层的形成此步骤为制做CMOS的关键工艺，利用热氧化法在晶圆上形成高品质的二氧化硅，做为电氧化层。20、 电多晶硅的淀积利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在晶圆表面沉积多晶硅，以做为连接导线的电。

　　21、 电掩膜的形成涂布光刻胶在晶圆上，再利用光刻技术将电的区域定义出来。

　　22、 活性离子刻蚀利用活性离子刻蚀技术刻蚀出多晶硅电结构，再将表面的光刻胶去除。