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　　氢氟酸的历史与发现

　　氢氟酸的发现可追溯至17世纪，当时瑞典化学家舍勒首次从萤石（CaF₂）中制得氟化氢。19世纪初，法国科学家盖·吕萨克和泰纳尔提纯了无水氢氟酸，并发现其腐蚀玻璃的特性。工业规模化生产始于20世纪，随着制冷剂和原子能需求增长。历史上，氢氟酸曾用于铀浓缩（曼哈顿计划），也因战争用途蒙上阴影。如今，其应用更偏向民用高科技领域，但安全争议始终存在。

　　氢氟酸防腐难的主要原因:1.氟是较活泼的非金属，，它的原子半径很小，它的化和物常常有的性质2.氢氟酸中的氟离子的半径很小，甚至小于氧离子，这导致它有很强的渗透性，致密的氧化物也不能阻止它的渗透（这点较主要）。针对以上腐蚀条件，志盛威华研究开发的ZS-1033耐氢氟酸防腐涂料应用广泛，如化学品车间，地面、设备、墙面、钢结构受各种酸碱的腐蚀严重，尤其是带有氢氟酸气体的腐蚀，防腐工程难度大，采用志盛牌ZS-1033耐氢氟酸防腐涂料，施工方便，喷涂刷涂均可，且常温固化，防腐效果好，较长使用寿命可达10年之久。

　　前面我们提到,在晶体管之间的区域进行场注入和场氧生长,在这道工序中,先牛成由硅钢化物层、氮化硅(Si )层和正性光刻胶层组成的叠层。按者,用“有源区”掩模版光刻,以便只刻蚀出晶体之间的区域、见图17.8(d)D,然后,进行沟道阻断层注入,去除光刻胶,并在刻蚀出的区域生长-层厚氧化层,即生成了场氧。去除作为保护层的氮化物层和氧化物层,见凶17.8(e),从而露出用于制作品体管的区域 为清楚起见,后续的图中将省略沟道阻断注入。

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　　UPSS级:适用于0.09～0.2μm和<0.09μmIC工艺技术的制作，是的级别，国内一家生产和大规模应用。UPS级:适用于0.35—0.80um集成电路加工工艺，金属杂质含量低于1.00ug/L，经过0.05um孔径过滤器过滤，控制0.20Ixm粒子，在100级净化环境中灌装达到SEMIC8标准。 UP级:适用于1.00um集成电路及TFT—LCD制造工艺，金属杂质含量低于10mg/kg，经过0.20um孔径过滤器过滤，控制0.50um粒子，在100级净化环境中灌装，达到SEMIC7标准。

　　合并吸入性损伤时，立即吸氧，并用葡萄糖酸钙雾化，严重情况需管切开置管术，便于气道管理。氢氟酸是一种清澈、无的腐蚀性液体，有强烈刺激性气味。熔点为-83.3℃，沸点为19.54℃，密度为1.15 g/mL，易溶于水。液态的HF是一种酸性强的溶剂，能够质子化硫酸与硝酸。但HF在水溶液中是一种弱酸，当浓度超过5mol/L时，酸性增强。具有很强的腐蚀性，能侵蚀玻璃和硅酸盐而生成气态的四氟化硅，但不腐蚀聚乙烯、铅和白金。主要用途:提纯铝和铀。蚀刻玻璃，用于雕刻图案、标注刻度和文字。半导体工业中去除硅表面的氧化物；炼油厂中作为催化剂去除不锈钢表面的含氧杂质“浸酸”过程也用到氢氟酸。产品化验与检测:工业级氢氟酸、桶装氢氟酸、40氢氟酸、45氢氟酸、50氢氟酸、55氢氟酸。