万江化工氢氟酸公司地址

　　氢氟酸中毒的急救方法

　　氢氟酸暴露后，急救的黄金时间是前几分钟。皮肤接触需立即用大量清水冲洗15分钟以上，随后涂抹葡萄糖酸钙凝胶以结合游离氟离子；若无凝胶，可用镁盐或钙盐溶液湿敷。眼睛接触时需持续冲洗至少30分钟并尽快就医。吸入蒸气者应转移至空气新鲜处，给予吸氧或支气管扩张剂。无论症状轻重，均需送医监测血钙水平和心电图，静脉注射钙剂可能是必要的。延误处理会导致不可逆损伤，因此现场急救与专业医疗同样重要。

　　39、氮化硅的淀积

　　利用PECVD 沉积出氮化硅膜，形成保护层。

　　40、PAD的形成

　　利用光刻技术在晶圆表层制作出金属焊盘（Pa）的屏蔽图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊盘区域，以做为后续集成电路封装工艺时连接焊线的接触区。41、 将元件予以退火处理此一步骤的目的是让器件有佳化的金属电性接触与性，至此一个CMOS晶体管完成。

　　工作服要带防溅围裙，材质要是天然橡胶、氯丁橡胶或者氟化橡胶。不要一个人对付HF，在它附近不要吃东西、喝水、吸烟。 一旦出事，急救过后也要继续治疗！（不要放弃） 化学实验告诉我们，氢氟酸对不要用皮肤接触。

　　氢氟酸沾了小半个手指就有严重后果，氢氟酸是强酸还是弱酸？

　　氢氟酸搞到手上很痛通常与肌肤敏感、软组织受损、存在创面，以及过敏、有关，应通过清水冲洗、冰敷或遵医嘱使用抗过敏等方式进行处理，具体应前往皮肤科就诊。

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　　23、 热氧化利用氧化技术，在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽，再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。

　　25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域，而后将晶圆表面之光刻胶去除。

　　26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护器件表面，免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术，将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。

　　准确定位每个区域的光刻工艺;

　　(3)向晶片中添加材料的氧化、淀积和离子注入;

　　(4)从晶片上去除材料的刻蚀工艺。

　　这些工序中多数都要求“热处理”,也就是说,晶片在炉中经历热循环。

　　多晶硅是一种无定形(非晶体)形式的硅。正如17章所述,栅上的硅在氧化层上生长时,不能形成单晶。目前主流的都是硅，现在也逐渐由氮化镓，砷化镓，碳化硅等等这些材料，记住一个特点，它们都是半导体。