茂名石英砂酸洗氟化氢铵厂

　　氢氟酸的工业应用

　　氢氟酸在工业中用途广泛，尤其在半导体制造、石油炼化和金属加工领域。在电子行业，它用于蚀刻硅晶圆，清除表面氧化物层；在石化工业中，它作为催化剂参与烷基化反应，生产高辛烷值汽油。此外，氢氟酸还用于不锈钢酸洗、稀土提取和制冷剂合成。尽管其危险性高，但因无可替代的化学性质，工业上仍大量使用，并采取严格的防护措施，如密闭操作、防腐蚀设备及应急冲洗装置。

　　［与防护］氢氟酸属一级无机酸性腐蚀物品，危规编号:91035。用聚乙烯塑料桶或四氟乙烯塑料桶包装。每桶净重20kg或25kg。量少可用塑料瓶盛装，每瓶0.5kg包装，包装上应有“剧“或“腐烛性物品“标志。不可与氧化剂，有机物、易燃物、碱、金属粉等共贮混运。失火时可用黄砂、二氧化碳灭火器扑教，禁用柱状水扑救。氢氟酸腐蚀性强，蒸气毒，高容许浓度为1mg/m3。皮肤误触时、应立即用大量清水冲洗，或立即用3%碱液，10%碳酸铵溶液冲洗。严重时应送医院治疗。

　　前面我们提到,在晶体管之间的区域进行场注入和场氧生长,在这道工序中,先牛成由硅钢化物层、氮化硅(Si )层和正性光刻胶层组成的叠层。按者,用“有源区”掩模版光刻,以便只刻蚀出晶体之间的区域、见图17.8(d)D,然后,进行沟道阻断层注入,去除光刻胶,并在刻蚀出的区域生长-层厚氧化层,即生成了场氧。去除作为保护层的氮化物层和氧化物层,见凶17.8(e),从而露出用于制作品体管的区域 为清楚起见,后续的图中将省略沟道阻断注入。

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　　19、 电氧化层的形成此步骤为制做CMOS的关键工艺，利用热氧化法在晶圆上形成高品质的二氧化硅，做为电氧化层。20、 电多晶硅的淀积利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在晶圆表面沉积多晶硅，以做为连接导线的电。

　　21、 电掩膜的形成涂布光刻胶在晶圆上，再利用光刻技术将电的区域定义出来。

　　22、 活性离子刻蚀利用活性离子刻蚀技术刻蚀出多晶硅电结构，再将表面的光刻胶去除。

　　化学性质:氟化氢对热稳定，加热到1000℃仅稍有分解。还原性在卤化氢中小。其分子由于形成氢键而有缔合现象，室温下氟化氢气体是(HF)2和(HF)3的混合物。其水溶液显弱酸性。许多金属氟化物可与氟化氢形成稳定的二氟氢盐如NaHF2，KHF2等。干燥的氟化氢对多数金属或金属氧化物不起反应，可是在与金属氧化物的反应中由于产生微量的水使反应自动加速，称自催化反应。和某些非金属氧化物也有同样的反应。